史上最先进！ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机：5nm单次曝光

内容摘要快科技6月29日消息，全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机，为未来十年的芯片产业做准备。Jos Benschop表示，ASML及独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在单次曝光中印

快科技6月29日消息，全球最大半导体设备龙头ASML已着手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机，为未来十年的芯片产业做准备。

Jos Benschop表示，ASML及独家光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在研究可在单次曝光中印刷出分辨率精细到5nm的EUV光刻机，可满足2035年之后的制程需求。

据悉，ASML目前出货的最先进光刻机，可达到单次曝光8nm分辨率。 而之前老旧光刻机必须多次曝光才能达到类似分辨率，不仅效率较低，而且良率也有限。

Benschop指出，ASML正与蔡司进行设计研究，目标是实现数值孔径（NA）0.7 或以上，目前尚未设定具体上市时间表。

数值孔径（NA）是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标，也是决定电路图样能否精细投影到晶圆上的关键因素。 当NA越大、光波长越短，印刷分辨率就越高。

目前标准EUV光刻机的NA为0.33，最新一代High NA EUV则提升至0.55。 当下，ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进。

【本文结束】如需转载请务必注明出处：快科技

责任编辑：朝晖

 
举报 收藏 打赏 评论 0
版权声明 本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
如遇本文系为网络转载到本站发表，图片或文章有版权问题的请联系客服确认后会立即删除文章。
如遇本文系作者授权本站发表，未经许可，不得转载。

--结束END--

有问题投稿请发送至: 邮箱/

本文标题: 史上最先进！ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机：5nm单次曝光

本文链接: http://yulu.shshilin.com.shshilin.com/news/show-684527.html (转载时请保留)

赵增虎

去ta空间
今日推荐
新闻举报 返回首页
浙ICP备19001410号-1

免责声明

本网站（以下简称“本站”）提供的内容来源于互联网收集或转载，仅供用户参考，不代表本站立场。本站不对内容的准确性、真实性或合法性承担责任。我们致力于保护知识产权，尊重所有合法权益，但由于互联网内容的开放性，本站无法核实所有资料，请用户自行判断其可靠性。

如您认为本站内容侵犯您的合法权益，请通过电子邮件与我们联系：675867094@qq.com。请提供相关证明材料，以便核实处理。收到投诉后，我们将尽快审查并在必要时采取适当措施（包括但不限于删除侵权内容）。本站内容均为互联网整理汇编，观点仅供参考，本站不承担任何责任。请谨慎决策，如发现涉嫌侵权或违法内容，请及时联系我们，核实后本站将立即处理。感谢您的理解与配合。

合作联系方式

如有合作或其他相关事宜，欢迎通过以下方式与我们联系：